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参数资料
| 型号： | NTMS10P02R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 10A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3640pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMS10P02R2GOSDKR |
NTMS10P02R2
DRAIN ? TO ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
100
2.0
1.6
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
100 m s
1.0 ms
1.2
0.8
1.0
V GS = 2.5 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
10 ms
0.4
0
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0.1
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1.0
10
dc
100
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Diode Forward Voltage versus Current
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 13. Diode Reverse Recovery Waveform
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
Normalized to q ja at 10s.
0.01
0.02
0.01
Chip
0.0163 W
0.0652 W
0.1988 W
0.6411 W
0.9502 W
0.001
1.0E ? 05
SINGLE PULSE
1.0E ? 04
1.0E ? 03
1.0E ? 02
0.0307 F
1.0E ? 01
0.1668 F
1.0E+00
0.5541 F 1.9437 F
1.0E+01
72.416 F
1.0E+02
Ambient
1.0E+03
t, TIME (s)
Figure 14. Thermal Response
http://onsemi.com
5
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参数描述 |
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