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参数资料
| 型号： | NTMS4802NR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 910mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMS4802N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
8000
7000
6000
5000
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
8
6
QT
V GS
4000
3000
2000
C oss
4
2
Q GS
Q GD
1000
0
0
C rss
5 10
15
20
25
30
0
0
10
20
30
40
50
60
I D = 18 A
T J = 25 ° C
70
80
1000
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
3
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage vs. Total Charge
100
10
V DD = 15 V
I D = 1 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
t r
t d(on)
2
1
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1
1
10
100
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
100
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
450
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
400
I D = 29 A
10
100 m s
1 ms
350
300
1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
10 ms
100 ms
dc
250
200
150
100
50
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
25
50 75 100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMS4807NR2G | MOSFET N-CH 30V 9.1A 8-SOIC |
| NTMS4816NR2G | MOSFET N-CH 30V 6.8A 8-SOIC |
| NTMS4840NR2G | MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMS4807N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 14.8 A, N-Channel, SO-8 |
| NTMS4807NR2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8 30V 14.8A 0.061R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS4816N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 11 A, N-Channel, SO-8 |
| NTMS4816NR2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8 30V 11A NCH 0.030R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS4840N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 7.5 A, Single N−Channel, SOIC−8 |
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