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参数资料
| 型号： | NTMS4917NR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8 FL |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1054pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 880mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMS4917N
TYPICAL CHARACTERISTICS
1500
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
5
10
15
C iss
C oss
C rss
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
25
30
10
8
6
4
2
0
0
Q gs
Q1
5
Q gd
Q2
10
QT
15
V DS
20
V GS = 10 V
I D = 7.5 A
T J = 25 ° C
25
30
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
2.0
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V GS = 10 V
I D = 1 A
V DD = 15 V
t d(off)
t f
1.5
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
1.0
10
t d(on)
0.5
1
1
10
100
0
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
100
10
1
Single Pulse
T C = 25 ° C
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
35
30
25
20
15
I D = 8 A
10
0.1
0.01
0.01
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
1
10
DC
100
5
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMS4920NR2G | MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMS4920N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 17 A, N−Channel, SO−8 |
| NTMS4920NR2G | 功能描述:MOSFET 30V 136A 4.3 mOhm Single N-Chan SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS4935N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 16 A, N−Channel, SO−8 |
| NTMS4935NR2G | 功能描述:MOSFET Power MOSFET 30V 126A 5.1 mOhm Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS4937N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET Power MOSFET |
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