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参数资料
| 型号： | NTMSD2P102LR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Apr/2007 Wire Change 12/May/2009 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMSD2P102LR2GOS |
NTMSD2P102LR2
1500
5
20
V DS = 0 V
V GS = 0 V
QT
18
1200
C iss
T J = 25 ° C
4
16
14
900
600
C rss
C iss
3
2
Q1
Q2
V GS
12
10
8
6
300
0
C oss
C rss
1
0
V DS
I D = ?2.4 A
T J = 25 ° C
4
2
0
10
5
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
10
12
14
?V GS ?V DS
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage versus Total Charge
1000
V DD = ?10 V
I D = ?1.2 A
V GS = ?2.7 V
100
t d (off)
t r
t f
t d
100
t r
10
(on)
10
t d (off)
t d (on)
t f
1.0
V DD = ?10 V
I D = ?2.4 A
V GS = ?4.5 V
1.0
10
100
1.0
10
100
2
R G, GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
R G, GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
1.6
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
I S
di/dt
1.2
t a
t rr
t b
TIME
0.8
0.4
0
t p
I S
0.25 I S
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
Figure 12. Diode Reverse Recovery Waveform
?V SD, SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Diode Forward Voltage
versus Current
http://onsemi.com
5
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