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参数资料
| 型号： | NTP5411NG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 166W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
NTB5411N, NTP5411N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
140
120
7V
10 V
6.5 V
T J = 25 ° C
6V
140
120
V DS w 10 V
100
100
80
60
5.5 V
80
60
40
40
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
20
V GS = 4.5 V
20
T J = 125 ° C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
15
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
12
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
14
13
12
11
10
9
I D = 40 A
T J = 25 ° C
11
10
9
8
7
6
T J = 25 ° C
V GS = 10 V
8
5
6
7
8
9
10
5
10
30
50
70
90
110
130 150
2.4
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
1000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2.2
2
I D = 40 A
V GS = 10 V
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
100
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55 60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTLJS1102PTAG | MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN |
| FXO-HC530-13.5 | OSC 13.5 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| HC49US-11.00MABJ-UB | CRYSTAL 11.000 MHZ 18PF HC49/US |
| HF2826-203Y1R5-T01 | FILTER LINE 20MH 1.5A VERTICAL |
| 3610S-2-103 | POT 10K OHM 7/8" RD WW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTP5412NG | 功能描述:MOSFET 60A, 60V, 10mOhms N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP5426N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 120 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220 |
| NTP5426NG | 功能描述:MOSFET 60V, 4.5mOhms N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP5860N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET |
| NTP5860NG | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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