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参数资料
| 型号： | NTP5411NG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 166W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
NTB5411N, NTP5411N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
7000
6000
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
9
8
Q T
5000
4000
3000
2000
C iss
7
6
5
4
3
Q 1
Q 2
1000
0
0
C rss
10
20
30
C oss
40
50
60
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
V DS = 48 V
I D = 80 A
T J = 25 ° C
70 80 90
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Charge
1000
V DD = 48 V
I D = 80 A
V GS = 10 V
70
60
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t f
t r
t d(off)
50
40
30
10
t d(on)
20
10
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
300
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
10 ms
1 ms
100 m s
10 m s
250
I D = 75 A
10
dc
200
150
1
0 V ≤ V GS ≤ 10 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
100
50
0.1
0.1
Package Limit
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTLJS1102PTAG | MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN |
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| HC49US-11.00MABJ-UB | CRYSTAL 11.000 MHZ 18PF HC49/US |
| HF2826-203Y1R5-T01 | FILTER LINE 20MH 1.5A VERTICAL |
| 3610S-2-103 | POT 10K OHM 7/8" RD WW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTP5412NG | 功能描述:MOSFET 60A, 60V, 10mOhms N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP5426N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 120 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220 |
| NTP5426NG | 功能描述:MOSFET 60V, 4.5mOhms N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP5860N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET |
| NTP5860NG | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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