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参数资料
| 型号： | NTP5412NG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 60A TO-220AB |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 85nC @ 0V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3220pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
NTB5412N, NTP5412N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
5000
4500
4000
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
8
Q T
3500
3000
2500
2000
C iss
6
4
Q 1
Q 2
1500
1000
500
0
0
C rss
10
20
30
40
C oss
50
60
2
0
0
10
20
30
40
50
V DS = 48 V
I D = 60 A
T J = 25 ° C
60
70
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Charge
1000
100
V DD = 48 V
I D = 60 A
V GS = 10 V
t f
t r
t d(off)
t d(on)
60
50
40
30
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
20
10
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
200
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
10 ms
1 ms
100 m s
10 m s
150
I D = 60 A
dc
10
0 V ≤ V GS ≤ 10 V
Single Pulse
100
1
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
50
0.1
0.1
Package Limit
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-HC530-27 | OSC 27 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| 12MA1 | SWITCH PUSHBUTTON PANEL MT |
| B32621A6332K289 | FILM CAP 0.0033UF 10% 630V |
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| PBW-12321ZQ | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 6A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTP5426N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 120 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220 |
| NTP5426NG | 功能描述:MOSFET 60V, 4.5mOhms N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP5860N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET |
| NTP5860NG | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP5860NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET |
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