参数资料
型号: NTP5412NG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 60A TO-220AB
产品变化通告: Product Obsolescence 07/Jul/2010
标准包装: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 60A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 14 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 85nC @ 0V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3220pF @ 25V
功率 - 最大: 125W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件
NTB5412N, NTP5412N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
100
D = 0.5
10
1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
0.01
0.001
Single Pulse
Surface ? Mounted on FR4 Board using 1 sq in pad size, 1 oz Cu
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, PULSE TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
NTP5412NG
NTB5412NT4G
Device
Package
TO ? 220AB
(Pb ? Free)
D 2 PAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
50 Units / Rail
800 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
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PDF描述
FXO-HC530-27 OSC 27 MHZ 3.3V HCMOS SMD
12MA1 SWITCH PUSHBUTTON PANEL MT
B32621A6332K289 FILM CAP 0.0033UF 10% 630V
ASG-P-V-A-212.500MHZ-T OSC 212.500 MHZ 3.3V LVPECL SMD
PBW-12321ZQ SWITCH PUSHBUTTON SPDT 6A 125V
相关代理商/技术参数
参数描述
NTP5426N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 120 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220
NTP5426NG 功能描述:MOSFET 60V, 4.5mOhms N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTP5860N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET
NTP5860NG 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTP5860NL 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET