- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17989 > NTP5860NG (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTP5860NG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10760pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 283W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
NTB5860N, NTP5860N, NVB5860N
TYPICAL CHARACTERISTICS
350
300
V GS =
10 V
V GS = 6 V
T J = 25 ° C
350
300
V DS ≥ 10 V
250
200
5.5 V
250
200
150
100
5.0 V
150
100
T J = 25 ° C
50
0
0
1
2
3
4
4.5 V
5
50
0
2
3
T J = 125 ° C
4
T J = ? 55 ° C
5
6
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.008
0.006
I D = 20 A
T J = 25 ° C
0.0035
0.0030
T J = 25 ° C
V GS = 10 V
0.004
0.002
0.0025
0.0020
0.000
4
6
8
10
0.0020
10
30
50
70
90
110
130
150
170
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate Voltage
2.0
I D = 20 A
1.8 V GS = 10 V
1.6
100000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
10000
1.2
1.0
0.8
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1000
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CD10ED220DO3F | CAP MICA 22PF 500V RADIAL |
| PVG5A504C03R00 | TRIMMER 500K OHM 0.25W SMD |
| MC18FD181J-F | CAP MICA 180PF 500V 5% 1812 |
| MCM01-002D150J-F | CAP MICA 15PF 500V 5% SMD |
| CDV19FF101JO3 | CAP MICA 100PF 1KV 5% RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTP5860NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET |
| NTP5860NLG | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP5862NG | 功能描述:MOSFET 60V T2 TO220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP5863NG | 功能描述:MOSFET NFET TO220 60V 76A 8MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP5864NG | 功能描述:MOSFET NFETSO8FL60V17A39M OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。