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参数资料
| 型号： | NTP5860NG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10760pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 283W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
NTB5860N, NTP5860N, NVB5860N
TYPICAL CHARACTERISTICS
14000
12000
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
8
Q T
10000
8000
6000
6
4
Q gs
Q gd
4000
2000
0
0
C rss
C oss
10
20
30
40
2
0
0
20
40 60 80 100
V DS = 48 V
I D = 65 A
T J = 25 ° C
120 140 160 180
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
180
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source vs. Total Charge
V DD = 48 V
I D = 65 A
V GS = 10 V
t f
160
140
120
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t r
t d(off)
t d(on)
100
80
60
40
20
0
1
10
100
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
1 ms
10 ms
dc
100 m s 10 m s
100
10
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
1
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
0.1
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTP5860NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET |
| NTP5860NLG | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP5862NG | 功能描述:MOSFET 60V T2 TO220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP5863NG | 功能描述:MOSFET NFET TO220 60V 76A 8MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP5864NG | 功能描述:MOSFET NFETSO8FL60V17A39M OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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