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参数资料
| 型号： | NTQD6968NR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 630pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 1.39W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | Q2261888 |
NTQD6968N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T C = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain?to?Source Breakdown Voltage
(V GS = 0 Vdc, I D = 250 m Adc)
Temperature Coefficient (Positive)
Zero Gate Voltage Collector Current
(V DS = 16 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J = 25 ° C)
(V DS = 16 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J = 125 ° C)
Gate?Body Leakage Current
(V GS = ± 12 Vdc, V DS = 0 Vdc)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
20
?
?
?
?
?
16
?
?
?
?
?
1.0
10
± 100
Vdc
mV/ ° C
m Adc
nAdc
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(V DS = V GS , I D = 250 m Adc)
Temperature Coefficient (Negative)
V GS(th)
0.6
?
0.75
3.0
1.2
?
Vdc
mV/ ° C
Static Drain?to?Source On?State Resistance
R DS(on)
W
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 7.0 Adc)
(V GS = 2.5 Vdc, I D = 7.0 Adc)
(V GS = 2.5 Vdc, I D = 3.5 Adc)
?
?
?
0.017
0.022
0.022
0.022
0.030
0.030
Forward Transconductance (V DS = 10 Vdc, I D = 7.0 Adc)
g FS
?
19.2
?
Mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
?
630
?
pF
Output Capacitance
Transfer Capacitance
(V DS = 16 Vdc, V GS = 0 Vdc,
f = 1.0 MHz)
C oss
C rss
?
?
260
95
?
?
SWITCHING CHARACTERISTICS (Notes 4 and 5)
Turn?On Delay Time
t d(on)
?
8.0
?
ns
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
(V DD = 16 Vdc, I D = 7.0 Adc,
V GS = 4.5 Vdc, R G = 6.0 W )
t r
t d(off)
t f
?
?
?
25
60
65
?
?
?
Gate Charge
(V DS = 16 Vdc,
V GS = 4.5 Vdc,
I D = 7.0 Adc)
Q tot
Q gs
Q gd
?
?
?
12.5
1.0
5.0
17
?
?
nC
BODY?DRAIN DIODE RATINGS (Note 4)
Forward On?Voltage
Reverse Recovery Time
(I S = 7.0 Adc, V GS = 0 Vdc)
(I S = 7.0 Adc, V GS = 0 Vdc,
dI S /dt = 100 A/ m s)
V SD
t rr
t a
?
?
?
0.82
35
15
1.2
?
?
Vdc
ns
t b
?
20
?
Reverse Recovery Stored Charge
Q RR
?
0.02
?
m C
4. Pulse Test: Pulse Width = 300 m s, Duty Cycle = 2%.
5. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
http://onsemi.com
2
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