- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18206 > NTQD6968NR2 (ON Semiconductor)MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTQD6968NR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 630pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 1.39W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | Q2261888 |
NTQD6968N
3000
2500
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
Q T
V GS
2000
3
1500
1000
C rss
2 Q 1
Q 2
C iss
500
C rss
C oss
1
I D = 7.0 A
T J = 25 ° C
0
0
10 5 0 5 10 15 20
V GS V DS
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
0
2.5
5 7.5 10
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
12.5
1000
Figure 7. Capacitance Variation
1.4
Figure 8. Gate?to?Source Voltage
versus Total Charge
V DD = 16 V
I D = 7.0 A
V GS = 4.5 V
1.2
1
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t f
t d(off)
t r
t d(on)
0.8
0.6
0.4
0.2
1
1
10
100
0
0.5
0.525
0.55
0.575
0.6
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
100
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
10
100 m s
1 ms
di/dt
1
10 ms
I S
t rr
t a
t b
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
dc
t p
0.25 I S
TIME
0.01
Package Limit
I S
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Figure 12. Diode Reverse Recovery Waveform
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-LC735-425 | OSC 425 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| 7A-10.000MAAJ-T | CRYSTAL 10.000 MHZ 18PF SMD |
| B18AV | SW TOGGLE SPDT .4VA VRT BRKT ESD |
| CD41.1501.151 | MOD PWR 5-FUNCTION 6A 4.8QC SCRW |
| FXO-LC536-100 | OSC 100 MHZ 3.3V LVDS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTQD6968NR2G | 功能描述:MOSFET 20V 7A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTQD6968R2 | 功能描述:MOSFET PWR N-CH 6.6A 20V 8TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| NTQS6463 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| NTQS6463/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 6.2 Amps， 20 Volts |
| NTQS6463R2 | 功能描述:MOSFET -20V -6.8A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。