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参数资料
| 型号： | NTQD6968NR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 630pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 1.39W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | Q2261888 |
NTQD6968N
PACKAGE DIMENSIONS
TSSOP?8
CASE 948S?01
ISSUE A
8x
K REF
NOTES:
0.20 (0.008) T U
S
0.10 (0.004)
M
T U
S
V
S
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION A DOES NOT INCLUDE MOLD
L
2X
L/2
8
5
B
?U?
J J1
FLASH. PROTRUSIONS OR GATE BURRS. MOLD
FLASH OR GATE BURRS SHALL NOT EXCEED
0.15 (0.006) PER SIDE.
4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE
INTERLEAD FLASH OR PROTRUSION.
INTERLEAD FLASH OR PROTRUSION SHALL NOT
0.25 (0.010)
0.20 (0.008) T U
0.076 (0.003)
?T? SEATING
PLANE
PIN 1
IDENT
S
D
C
1
A
?V?
P
4
G
N
K1
K
SECTION N?N
DETAIL E
N
M
?W?
EXCEED 0.25 (0.010) PER SIDE.
5. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR
REFERENCE ONLY.
6. DIMENSION A AND B ARE TO BE
DETERMINED AT DATUM PLANE ?W?.
MILLIMETERS INCHES
DIM MIN MAX MIN MAX
A 2.90 3.10 0.114 0.122
B 4.30 4.50 0.169 0.177
C ??? 1.10 ??? 0.043
D 0.05 0.15 0.002 0.006
F 0.50 0.70 0.020 0.028
G 0.65 BSC 0.026 BSC
J 0.09 0.20 0.004 0.008
J1 0.09 0.16 0.004 0.006
K 0.19 0.30 0.007 0.012
K1 0.19 0.25 0.007 0.010
L 6.40 BSC 0.252 BSC
M 0 _ 8 _ 0 _ 8 _
P ??? 2.20 ??? 0.087
P1 ??? 3.20 ??? 0.126
P1
0.252
6.4
0.018
0.45
F
DETAIL E
SOLDERING FOOTPRINT*
0.038
0.95
0.177
4.5
0.026
0.65
inches
mm
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
6
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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