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参数资料
| 型号： | NTR3162PT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT-23 |
| 产品变化通告： | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 Product Obsolescence 01/Jul/2009 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 940pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 480mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTR3162P
P--CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS
10
10.0
9.0
8.0
7.0
V GS = --5 V -- --2.5 V
--2.0 V
--1.8 V
T J = 25 ° C
--1.5 V
9.0
8.0
7.0
V DS = --5 V
6.0
5.0
4.0
6.0
5.0
4.0
3.0
--1.2 V
3.0
25 ° C
2.0
1.0
2.0
1.0
125 ° C
T J = --55 ° C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0.0
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
0.30
--V DS , DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On--Region Characteristics
0.30
--V GS , GATE--TO--SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.25
0.20
0.15
I D = --2.2 A
T J = 25 ° C
0.25
0.20
0.15
T J = 25 ° C
V GS = --1.5 V
0.10
0.05
0.10
0.05
V GS = --1.8 V
V GS = --2.5 V
V GS = --4.5 V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.6
--V GS , GATE VOLTAGE (V)
Figure 3. On--Resistance vs. Gate--to--Source
Voltage
100000
--I D, DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On--Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.5
1.4
1.3
I D = --2.2 A
V GS = --4.5 V
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
10000
T J = 125 ° C
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
1000
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On--Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
--V DS, DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain--to--Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
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