- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录492 > NTR4170NT3G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 3.2A SGL SOT23-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTR4170NT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.2A SGL SOT23-3 |
| 产品变化通告： | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 3.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.76nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 432pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 780mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTR4170N
TYPICAL CHARACTERISTICS
700
600
500
400
300
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
Q gs
Q gd
QT
200
100
0
0
C rss
4.0
8.0
C oss
12
16
20
24
28 30
1.5
1.0
0.5
0
0
1.0
2.0
3.0
I D = 3.2 A
T J = 25 ° C
4.0
5.0
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Charge
1000
100
V DD = 15 V
I D = 3.2 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
3.0
2.5
2.0
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t f
t r
1.5
10
t d(on)
1.0
0.5
1.0
1.0
10
100
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9 1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTR4171PT3G | MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3 |
| NTR4501NT1 | MOSFET N-CHAN 3.2A 20V SOT-23 |
| NTR4502PT1G | MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23 |
| NTR4503NT3G | MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23 |
| NTS2101PT1 | MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTR4171P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −30 V, −3.5 A, Single P−Channel, SOT−23 |
| NTR4171PT1G | 功能描述:MOSFET PFET SOT23 30V TR 0.075R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTR4171PT3G | 功能描述:MOSFET PFET SOT23 30V 0.075R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTR4501N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23 |
| NTR4501NST1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET SOT23 20V 3.2A 80MO - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET NFET SOT23 20V 3.2A 80MO 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / NFET SOT23 20V 3.2A 80MO |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。