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参数资料
| 型号： | NTR4171PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 720pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 480mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTR4171PT1GOSDKR |
NTR4171P
TYPICAL CHARACTERISTICS
1100
1000
900
800
700
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
12
10
8.0
? V DS
Q T
? V GS
16
14
12
10
600
500
400
300 C oss
200
100 C rss
0
0
5.0
10
15
20
25
30
6.0
4.0
2.0
0
Q GS
0
2.0
Q GD
4.0
6.0
8.0
10
V DS = ? 15 V
T J = 25 ° C
I D = ? 3.5 A
12 14
8.0
6.0
4.0
2.0
0
16
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
100
10
V GS = ? 10 V
V DD = ? 15 V
I D = ? 3.5 A
t d(off)
t f
t r
t d(on)
10
1.0
T J = 125 ° C
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
1.0
1.0
10
100
0.1
0.3 0.4
0.5
0.6
0.7
T J = ? 55 ° C
0.8 0.9
1.0
1.1
1.2
1.5
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
30
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
I D = ? 250 m A
25
20
15
10
5.0
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
T J , TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Threshold Voltage
http://onsemi.com
4
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
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PDF描述 |
|---|---|
| PE43601MLI-Z | IC RF DSA 6BIT 50 OHM 32QFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTR4171PT3G | 功能描述:MOSFET PFET SOT23 30V 0.075R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTR4501N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23 |
| NTR4501NST1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET SOT23 20V 3.2A 80MO - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET NFET SOT23 20V 3.2A 80MO 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / NFET SOT23 20V 3.2A 80MO |
| NTR4501NT1 | 功能描述:MOSFET 20V 3.2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTR4501NT1G | 功能描述:MOSFET 20V 3.2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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