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参数资料
| 型号： | NTR4171PT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3 |
| 产品变化通告： | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 720pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 480mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTR4171P
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
V GS = ? 12 V
Single Pulse
10
1.0
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
0.01
0.1
Package Limit
1.0
10
dc
100
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
1.0
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.0001
Single Pulse
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 14. FET Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTR4501NST1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET SOT23 20V 3.2A 80MO - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET NFET SOT23 20V 3.2A 80MO 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / NFET SOT23 20V 3.2A 80MO |
| NTR4501NT1 | 功能描述:MOSFET 20V 3.2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTR4501NT1G | 功能描述:MOSFET 20V 3.2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTR4501NT1G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:NTR Series N-Channel 20 V 70 mOhm 1.25 W Surface Mount Power MOSFET - SOT-23 |
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