参数资料
型号: NTR4503NT1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23
产品变化通告: Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009
产品目录绘图: MOSFET SOT-23-3 Pkg
标准包装: 10
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 110 毫欧 @ 2.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 250pF @ 24V
功率 - 最大: 420mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3(TO-236)
包装: 标准包装
产品目录页面: 1558 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: NTR4503NT1GOSDKR
NTR4503N, NVTR4503N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
300
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
15
15
C iss
V DS
200
C rss
10
Q G
V GS
10
100
5
Q GS
Q GD
5
C oss
I D = 2.5 A
T J = 25 ° C
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
25
30
0
0
1 2 3
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
4
0
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 24 V
I D = 2.5 A
V GS = 10 V
t d(off)
3
2
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t f
10
t d(on)
t r
1
1
1
10
100
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
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PDF描述
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