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参数资料
| 型号： | NTSB20120CT-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 127K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 10A 120V I2PAK-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 700µA @ 120V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 120V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTSB20120CT-1GOS |
NTST20120CT, NTSJ20120CTG, NTSB20120CT?1G, NTSB20120CTG,
NTSB20120CTT4G
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
V
V
RRM
RWM
VR
120
V
Average Rectified Forward Current
(Rated VR, TC
= 130
°C) Per device
Per diode
IF(AV)
20
10
A
Peak Repetitive Forward Current
(Rated VR, Square Wave, 20 kHz, TC
= 135
°C) Per device
Per diode
IFRM
40
20
A
Nonrepetitive Peak Surge Current
(Surge applied at rated load conditions halfwave, single phase, 60 Hz)
IFSM
120
A
Operating Junction Temperature
TJ
?40 to +150
°C
Storage Temperature
Tstg
?40 to +150
°C
Voltage Rate of Change (Rated VR)
dv/dt
10,000
V/s
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
THERMAL CHARACTERISTICS
Rating
Symbol
NTST20120CTG
NTSB20120CT?1G
NTSB20120CTG
NTSJ20120CTG
Unit
Maximum Thermal Resistance per Diode
Junction?to?Case
Junction?to?Ambient
RJC
RJA
2.5
70
1.43
46.8
4.42
105
°C/W
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Per Leg unless otherwise noted)
Rating
Symbol
Typ
Max
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
(IF
= 5 A, T
J
= 25
°C)
(IF
= 10 A, T
J
= 25
°C)
(IF
= 5 A, T
J
= 125
°C)
(IF
= 10 A, T
J
= 125
°C)
vF
0.62
0.90
0.54
0.64
?
1.10
?
0.72
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 1)
(VR
= 90 V, T
J
= 25
°C)
(VR
= 90 V, T
J
= 125
°C)
(Rated dc Voltage, TJ
= 25
°C)
(Rated dc Voltage, TJ
= 125
°C)
IR
12
6
?
17
?
?
700
100
A
mA
A
mA
1. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle
2.0%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTSB30120CTG | DIODE SCHOTTKY 15A 120V D2PAK-3 |
| NTSJ2080CTG | DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-220FP |
| NTSJ20U100CTG | DIODE SCHOTTKY 10A 100V TO-220FP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTSB20120CTG | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier |
| NTSB20120CTT4G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NTSB20U100CT-1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 LVFR DUAL 20A 100V I2PAK RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NTSB20U100CTG | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky |
| NTSB30100CT-1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 LVFR DUAL 30100 I2PAK RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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