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参数资料
| 型号： | NTSB20120CT-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 127K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 10A 120V I2PAK-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 700µA @ 120V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 120V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTSB20120CT-1GOS |
NTST20120CT, NTSJ20120CTG, NTSB20120CT?1G, NTSB20120CTG,
NTSB20120CTT4G
http://onsemi.com
3
TYPICAL CHARACTERISITICS
Figure 1. Typical Instantaneous Forward
Characteristics
Figure 2. Typical Reverse Current
Characteristics
Figure 3. Typical Junction Capacitance
vF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
100
1.0
0.1
0 0.2 0.4
0.001
20
VR, INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)
i
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
I
0.6 0.8 1.0
30 50 70 9040 60
80
TA
= 25
°C
TA
= 125
°C
TA
= 150
°C
0.01
0.1
1.0
10
100
, INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT (mA)
R
1.2
120
10
0.1
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
10000
1000
110100
10
C
J
, JUNCTION CAPACITANCE (pF)
Figure 4. Current Derating per Leg
0
5
10
15
20
0 20 40 60 80 100 120 140
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
SQUARE WAVE
dc
RJC
= 1.3
°C/W
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
Figure 5. Current Derating
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0 20 40 60 80 100 120 140
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
SQUARE WAVE
dc
RJC
= 1.3
°C/W
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
Figure 6. Forward Power Dissipation
0
5
10
15
20
25
30
0 2 10 12 14468
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
P
F(AV)
, AVERAGE FORWARD
POWER DISSIPATION (W)
SQUARE
WAVE
dc
TJ
= 150
°C
IPK/IAV
= 5
IPK/IAV
= 10
IPK/IAV
= 20
1.4 1.6 1.8
100 110
100
TJ
= 25
°C
TA
= 25
°C
TA
= 125
°C
TA
= 150
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTSB30120CTG | DIODE SCHOTTKY 15A 120V D2PAK-3 |
| NTSJ2080CTG | DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-220FP |
| NTSJ20U100CTG | DIODE SCHOTTKY 10A 100V TO-220FP |
| NTSJ3080CTG | DIODE SCHOTTKY 15A 80V TO-220FP |
| NTSJ30U80CTG | DIODE SCHOTTKY 15A 80V TO-220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTSB20120CTG | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier |
| NTSB20120CTT4G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NTSB20U100CT-1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 LVFR DUAL 20A 100V I2PAK RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NTSB20U100CTG | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky |
| NTSB30100CT-1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 LVFR DUAL 30100 I2PAK RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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