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参数资料
| 型号： | NTSB20120CT-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 127K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 10A 120V I2PAK-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 700µA @ 120V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 120V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTSB20120CT-1GOS |
NTST20120CT, NTSJ20120CTG, NTSB20120CT?1G, NTSB20120CTG,
NTSB20120CTT4G
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
TO?220
CASE 221A?09
ISSUE AF
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.570 0.620 14.48 15.75
B
0.380 0.405 9.66 10.28
C
0.160 0.190 4.07 4.82
D
0.025 0.035 0.64 0.88
F
0.142 0.161 3.61 4.09
G
0.095 0.105 2.42 2.66
H
0.110 0.155 2.80 3.93
J
0.014 0.025 0.36 0.64
K
0.500 0.562 12.70 14.27
L
0.045 0.060 1.15 1.52
N
0.190 0.210 4.83 5.33
Q
0.100 0.120 2.54 3.04
R
0.080 0.110 2.04 2.79
S
0.045 0.055 1.15 1.39
T
0.235 0.255 5.97 6.47
U
0.000 0.050 0.00 1.27
V
0.045 --- 1.15 ---
Z
--- 0.080 --- 2.04
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
123
4
D
?
SEATINGPLANE
?T
C
S
T
U
R
J
STYLE 6:
PIN 1. ANODE
2. CATHODE
3. ANODE
4. CATHODE
TO?220 FULLPACK, 3?LEAD
CASE 221AH
ISSUE B
DIM MIN MAX
MILLIMETERS
D
14.70 15.30
E
9.70 10.30
A
4.30 4.70
b
0.54 0.84
P
3.00 3.40
e
L1
--- 2.80
c
0.49 0.79
L
12.70 14.73
b2
1.10 1.40
Q
2.80 3.20
A2
2.50 2.70
A1
2.50 2.90
H1
6.70 7.10
E
Q
L1
3X
b2
e
D
L
P
123
4
3X
b
B
SEATINGPLANE
A
A1
H1
A2
c
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME
Y14.5M, 1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.
3. CONTOUR UNCONTROLLED IN THIS AREA.
4. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD FLASH
AND GATE PROTRUSIONS. MOLD FLASH AND GATE
PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.13 PER SIDE. THESE
DIMENSIONS ARE TO BE MEASURED AT OUTERMOST
EXTREME OF THE PLASTIC BODY.
5. DIMENSION b2 DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. LEAD WIDTH INCLUDING PROTRUSION
SHALL NOT EXCEED 2.00.
2.54 BSC
0.14
M
B
A
M
A
C
E/2
0.25
M
B
A
M
C
NOTE 3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTSB30120CTG | DIODE SCHOTTKY 15A 120V D2PAK-3 |
| NTSJ2080CTG | DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-220FP |
| NTSJ20U100CTG | DIODE SCHOTTKY 10A 100V TO-220FP |
| NTSJ3080CTG | DIODE SCHOTTKY 15A 80V TO-220FP |
| NTSJ30U80CTG | DIODE SCHOTTKY 15A 80V TO-220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTSB20120CTG | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier |
| NTSB20120CTT4G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NTSB20U100CT-1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 LVFR DUAL 20A 100V I2PAK RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NTSB20U100CTG | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky |
| NTSB30100CT-1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 LVFR DUAL 30100 I2PAK RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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