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参数资料
| 型号： | NTTD4401FR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Jun/2007 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 3.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 780mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTTD4401FR2OSCT |
NTTD4401F
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
Normalized to R ? ja at Steady State (1 inch pad)
0.0125 W 0.0563 W 0.110 W 0.273 W 0.113 W
0.436 W
0.05
0.02
0.01
0.021 F
0.137 F
1.15 F
2.93 F
152 F
261 F
Single Pulse
0.01
1E?03
1E?02
1E?01
1E+00
1E+03
1E+02
1E+03
t, TIME (s)
Figure 13. FET Thermal Response
TYPICAL SCHOTTKY ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10
10
T J = 125 ° C
1.0
T J = 125 ° C
85 ° C
25 ° C
1.0
85 ° C
25 ° C
? 40 ° C
0.1
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V F , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 14. Typical Forward Voltage
http://onsemi.com
6
V F , MAXIMUM INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 15. Maximum Forward Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTTFS4800NTAG | MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN |
| NTTFS4821NTAG | MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN |
| NTTFS4823NTWG | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN |
| NTTFS4824NTWG | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN |
| NTTFS4840NTAG | MOSFET N-CH 30V 4.6A 8WDFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTTD4401FR2G | 功能描述:MOSFET -20V -3.3A P-Channel w/1A Schottky RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS3A08P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET .20 V, .14 A, Single P.Channel, 8FL |
| NTTFS3A08PZTAG | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS3A08PZTWG | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS4800N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 32 A, Single N−Channel, μ8FL |
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