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参数资料
| 型号： | NTTFS4824NTWG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2363pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 660mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTTFS4824N
TYPICAL CHARACTERISTICS
130
120
110
100
10 V
7.0 V
5.0 V
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
125
100
V DS ≥ 10 V
90
4.2 V
80
70
60
50
40
4.0 V
3.8 V
3.6 V
75
50
T J = 100 ° C
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
3.4 V
3.2 V
4.5
5
25
0
2
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
3 4
5
6
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.010
0.009
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
I D = 20 A
T J = 25 ° C
0.010
0.009
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.002
3
4
5
6
7
8
9
10
0.002
20
30
40
50
60
70
80
90
100 110 120
1.8
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
10000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
I D = 20 A
V GS = 10 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
100
T J = 125 ° C
0.5
? 50
? 25 0
25
50
75
100
125
150
10
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTTFS4840NTAG | MOSFET N-CH 30V 4.6A 8WDFN |
| NTTFS4928NTAG | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8WDFN |
| NTTFS4929NTAG | MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN |
| NTTFS4930NTWG | MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN |
| NTTFS4932NTAG | MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTTFS4840N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 26 A, Single N−Channel, μ8FL |
| NTTFS4840NTAG | 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 26A 24MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS4840NTWG | 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 26A 24mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS4928N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 37 A, Single N?Channel, 8FL DC?DC Converters |
| NTTFS4928NTAG | 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 41A 8MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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