参数资料
型号: NTTFS4929NTAG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN
标准包装: 1,500
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 11 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 920pF @ 15V
功率 - 最大: 810mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-WDFN(3.3x3.3)
包装: 带卷 (TR)
NTTFS4929N
TYPICAL CHARACTERISTICS
4V
50
40
10 V
4.2 V
4.4 V
4.5 V
6.5 V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
50
40
V DS = 10 V
30
8.5 V
3.2 V
30
20
3.0 V
20
T J = 125 ° C
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
2.8 V
V GS = 2.6 V
T J = 25 ° C
4 4.5
5
10
0
1
T J = 25 ° C
1.5 2
2.5
T J = ? 55 ° C
3 3.5
4
4.5
5
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.0180
0.0165
0.0150
0.0135
0.0120
0.0105
0.0090
0.0075
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
I D = 20 A
T J = 25 ° C
0.0060
3.0
4.0
5.0
6.0 7.0
V GS (V)
8.0
9.0
10
Figure 3. On ? Resistance vs. V GS
2.0E ? 02
1.8E ? 02
1.6E ? 02
1.4E ? 02
1.2E ? 02
1.0E ? 02
8.0E ? 03
T = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
6.0E ? 03
10
15
20
25
30
35
40
45
50
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
http://onsemi.com
4
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NTTFS4930N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 23 A, Single N?Channel, 8FL Notebook Battery Management
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