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参数资料
| 型号： | NTTFS4929NTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 920pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 810mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTTFS4929N
TYPICAL CHARACTERISTICS
1.7
1.6
1.5
I D = 20 A
V GS = 10 V
1.0E ? 04
1.0E ? 05
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
1.0E ? 06
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
1.0E ? 07
1.0E ? 08
1.0E ? 09
1.0E ? 10
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
1.0E ? 11
150 10
15
20
25
1400
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
11
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
1200
1000
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
9
8
Q T
800
7
6
600
400
200
0
0
C oss
C rss
5
10
15
20
25
30
5
4
3
2
1
0
0
Q gs
2
4
Q gd
6
8
10
T J = 25 ° C
V GS = 10 V
V DD = 15 V
I D = 20 A
12 14
16
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V GS = 10 V
V DD = 4.5 V
I D = 15 A
t d(off)
t f
25
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
15
10
1
t d(on)
10
5
0
1
10
100
0.1
0.2
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
1.1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
5
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTTFS4930NTWG | MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN |
| NTTFS4932NTAG | MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN |
| NTTFS4937NTAG | MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN |
| NTTFS4939NTAG | MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFN |
| NTTFS4941NTAG | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTTFS4929NTWG | 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 34A 11 MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS4930N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 23 A, Single N?Channel, 8FL Notebook Battery Management |
| NTTFS4930NTAG | 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 23A 23MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS4930NTWG | 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 23A 23MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS4932N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 79 A, Single N−Channel, μ8FL |
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