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参数资料
| 型号： | NTTFS4937NTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2540pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 860mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTTFS4937N
TYPICAL CHARACTERISTICS
2800
2600
2400
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
C iss
C oss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
11
10
9
8
7
6
5
4
3
T J = 25 ° C
Qgd
Qgs
QT
600
400
200
0
0
5
C rss
10
15
20
25
30
2
1
0
0
2
4
6
V DD = 15 V
V GS = 10 V
I D = 20 A
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
10
V DD = 15 V
I D = 15 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
t r
t d(on)
25
20
15
10
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
T J = 25 ° C
0.8
0.9
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
70
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
10 m s
60
50
I D = 37 A
10
100 m s
1 ms
40
1
0.1
V GS = 20 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
10 ms
dc
30
20
10
Package Limit
0.01
0.01 0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTTFS4939NTAG | MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFN |
| NTTFS4941NTAG | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN |
| NTTFS4985NFTAG | MOSFET N-CH 30V 16.3A 8-WDFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTTFS4937NTWG | 功能描述:MOSFET 30V 75A 4.5 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS4939N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 52 A, Single N−Channel, 8FL |
| NTTFS4939NTAG | 功能描述:MOSFET 30V 56A 5.5 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS4939NTWG | 功能描述:MOSFET 30V 56A 5.5 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS4941N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 46 A, Single N−Channel, μ8FL |
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