- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录493 > NTTFS5811NLTWG (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTTFS5811NLTWG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.4 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1570pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WDFN（3x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTTFS5811NL
TYPICAL CHARACTERISTICS
2200
2000
V GS = 0 V
10
Q T
1800
1600
1400
1200
C iss
T J = 25 ° C
8
6
1000
800
600
4
Q gs
Q gd
400
200
0
0
C rss
10
C oss
20
30
40
2
0
0
5
10
15
20
V DS = 32 V
I D = 10 A
T J = 25 ° C
25 30
35
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Charge
1000
100
V DD = 32 V
I D = 10 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
t r
50
40
30
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t f
t d(on)
20
10
1
1
10
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V GS = 10 V
Single Pulse
60
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
T C = 25 ° C
10 m s
50
40
10
100 m s
1 ms
30
1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
10 ms
dc
20
10
Package Limit
0.1
0
0.1
1
10
100
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTTFS5820NLTWG | MOSFET N-CH 60V 37A 8DFN |
| NTTFS5826NLTWG | MOSFET PWR N-CH 60V 20A 8-WDFN |
| NTTS2P02R2 | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO |
| NTTS2P03R2 | MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO |
| NTUD3127CT5G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-963 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTTFS5820NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 60 V, 37 A, 11.5 m |
| NTTFS5820NLTAG | 功能描述:MOSFET Single N-CH 60V 11A, 37A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS5820NLTWG | 功能描述:MOSFET Single N-CH 60V 11A, 37A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS5826NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NTTFS5826NL 60 V, 24 m, Single Na??Channel, 8FL |
| NTTFS5826NLTAG | 功能描述:MOSFET NFET U8FL 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。