- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录493 > NTTFS5820NLTWG (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 37A 8DFN Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTTFS5820NLTWG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 37A 8DFN |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.5 毫欧 @ 8.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1462pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WDFN（3x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTTFS5820NL
TYPICAL CHARACTERISTICS
80
70
10 V
V GS = 5 V
4.0 V
T J = 25 ° C
80
70
V DS ≥ 10 V
60
50
40
30
3.8 V
3.6 V
3.4 V
60
50
40
30
20
3.2 V
20
T J = 25 ° C
10
0
0
1
2
3
3.0 V
2.8 V
4
5
10
0
1
T J = 125 ° C
2
3
T J = ? 55 ° C
4
5
0.030
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.016
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.025
I D = 10 A
T J = 25 ° C
0.014
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.020
0.012
0.015
0.010
0.010
V GS = 10 V
0.005
2
4
6
8
10
12
0.008
5
10
15
20
25
30
35
40
2.1
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
100,000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
I D = 10 A
V GS = 10 V
10,000
1,000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.5
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTTFS5826NLTWG | MOSFET PWR N-CH 60V 20A 8-WDFN |
| NTTS2P02R2 | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO |
| NTTS2P03R2 | MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO |
| NTUD3127CT5G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-963 |
| NTUD3128NT5G | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-963 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTTFS5826NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NTTFS5826NL 60 V, 24 m, Single Na??Channel, 8FL |
| NTTFS5826NLTAG | 功能描述:MOSFET NFET U8FL 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS5826NLTWG | 功能描述:MOSFET NFET U8FL 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFSC4821NTAG | 功能描述:IGBT 晶体管 NFETU8FL 30V 57A 10.8M Ohm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTTFSC4823NTAG | 功能描述:IGBT 晶体管 NFETU8FL 30V 50A 17.5MOHM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。