- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录493 > NTTS2P03R2 (ON Semiconductor)MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTTS2P03R2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 2.48A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 500pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTTS2P03R2OS |
NTTS2P03R2
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1000
100
D = 0.5
0.2
0.1
10
1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P ( pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
0.1
1.0E?05
1.0E?04
1.0E?03
1.0E?02
1.0E?01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTUD3127CT5G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-963 |
| NTUD3128NT5G | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-963 |
| NTUD3129PT5G | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-963 |
| NTUD3169CZT5G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-963 |
| NTUD3170NZT5G | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-963 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTTS2P03R2/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET -2.48 Amps， -30 Volts |
| NTTS2P03R2_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -2.48 Amps, -30 Volts |
| NTTS2P03R2G | 功能描述:MOSFET -30V -2.48A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTUD01N02/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 100 mAmps， 20 Volts |
| NTUD3127C | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V, 200 mA / −180 mA, Complementary, 1.0 x 1.0 mm SOT−963 Package |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。