参数资料
型号: NTUD3170NZT5G
厂商: ON Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-963
产品变化通告: Wire Bond Change 01/Dec/2010
标准包装: 1
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 220mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 12.5pF @ 15V
功率 - 最大: 125mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-963
供应商设备封装: SOT-963
包装: 标准包装
其它名称: NTUD3170NZT5GOSDKR
NTUD3170NZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
20.0
17.5
15.0
12.5
10.0
7.50
C iss
C oss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1000
100
10
V DD = 10 V
I D = 200 mA
V GS = 4.5 V
t d(off)
t f
t r
t d(on)
5.00
2.50
C rss
0
0
5
10
15
20
1
1
10
100
GATE ? TO ? SOURCE AND DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 8. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
0.200
0.175
0.150
0.125
0.100
0.075
0.050
0.025
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
http://onsemi.com
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PDF描述
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