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参数资料
| 型号： | NTUD3171PZT5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-963 |
| 产品变化通告： | Wire Bond Change 01/Dec/2010 |
| 标准包装： | 8,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13.5pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 125mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-963 |
| 供应商设备封装： | SOT-963 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTUD3171PZ
Small Signal MOSFET
? 20 V, ? 200 mA, Dual P ? Channel,
1.0 x 1.0 mm SOT ? 963 Package
Features
? Dual P ? Channel MOSFET
? Offers a Low R DS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 1.0 mm
Package
? 1.5 V Gate Voltage Rating
? Ultra Thin Profile (< 0.5 mm) Allows It to Fit Easily into Extremely
Thin Environments such as Portable Electronics.
? This is a Pb ? Free Device
V (BR)DSS
? 20 V
http://onsemi.com
R DS(ON) MAX
5.0 W @ ? 4.5 V
6.0 W @ ? 2.5 V
7.0 W @ ? 1.8 V
10 W @ ? 1.5 V
I D Max
? 0.2 A
Applications
? High Side Switch
? High Speed Interfacing
? Optimized for Power Management in Ultra Portable Equipment
G1
D1
G2
D2
MAXIMUM RATINGS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter Symbol Value
Drain ? to ? Source Voltage
V DSS
? 20
Unit
V
S1
P ? Channel
MOSFET
S2
Gate ? to ? Source Voltage
V GS
± 8
V
PINOUT: SOT ? 963
Continuous Drain
Current (Note 1)
Steady
State
T A = 25 ° C
T A = 85 ° C
I D
? 200
? 140
mA
S 1 1
6 D 1
t v 5s
T A = 25 ° C
? 250
Power Dissipation
(Note 1)
Steady
State
T A = 25 ° C
P D
? 125
mW
G 1 2
5 G 2
t v 5s
? 200
Pulsed Drain Current t p = 10 m s
Operating Junction and Storage Temperature
Source Current (Body Diode) (Note 2)
I DM
T J ,
T STG
I S
? 600
? 55 to
150
? 200
mA
° C
mA
D 2
3
Top View
4 S 2
T L
Lead Temperature for Soldering Purposes 260 ° C
(1/8” from case for 10 s)
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. Surface ? mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size,
1 oz Cu.
2. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%
SOT ? 963
CASE 527AD
4
M
G
MARKING
DIAGRAM
4M G
1
= Specific Device Code
= Date Code
= Pb ? Free Package
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 2 of this data sheet.
? Semiconductor Components Industries, LLC, 2008
August, 2008 ? Rev. 0
1
Publication Order Number:
NTUD3171PZ/D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTUD3174NZT5G | 功能描述:MOSFET NFET SOT963 20V 280MA TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTV | 制造商:CANDD 制造商全称:C&D Technologies 功能描述:3kVDC Isolated 1W Dual Output SM DC-DC Converters |
| NTV0505M | 功能描述:DC/DC转换器 1W DUAL OUT 5-5V RoHS:否 制造商:Murata 产品: 输出功率: 输入电压范围:3.6 V to 5.5 V 输入电压（标称）: 输出端数量:1 输出电压（通道 1）:3.3 V 输出电流（通道 1）:600 mA 输出电压（通道 2）: 输出电流（通道 2）: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体尺寸: |
| NTV0505MC | 功能描述:DC/DC转换器 5V +/-5Vout +/-100mA 3kVDC Iso 1W SMT RoHS:否 制造商:Murata 产品: 输出功率: 输入电压范围:3.6 V to 5.5 V 输入电压（标称）: 输出端数量:1 输出电压（通道 1）:3.3 V 输出电流（通道 1）:600 mA 输出电压（通道 2）: 输出电流（通道 2）: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体尺寸: |
| NTV0505MC-R | 功能描述:DC/DC转换器 5V +/-5Vout +/-100mA 3kVDC Iso 1W SMT RoHS:否 制造商:Murata 产品: 输出功率: 输入电压范围:3.6 V to 5.5 V 输入电压（标称）: 输出端数量:1 输出电压（通道 1）:3.3 V 输出电流（通道 1）:600 mA 输出电压（通道 2）: 输出电流（通道 2）: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体尺寸: |
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