- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录493 > NTUD3171PZT5G (ON Semiconductor)MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-963 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTUD3171PZT5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-963 |
| 产品变化通告： | Wire Bond Change 01/Dec/2010 |
| 标准包装： | 8,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13.5pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 125mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-963 |
| 供应商设备封装： | SOT-963 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTUD3171PZ
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction ? to ? Ambient – Steady State (Note 3)
Junction ? to ? Ambient – t = 5 s (Note 3)
Symbol
R q JA
Max
1000
600
Unit
° C/W
3. Surface ? mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size, 1 oz Cu.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
V (BR)DSS
V GS = 0 V, I D = ? 250 m A
? 20
V
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V GS = 0 V, V DS = ? 5.0 V
V GS = 0 V, V DS = ? 5.0 V
V GS = 0 V, V DS = ? 16 V
T J = 25 ° C
T J = 85 ° C
T J = 25 ° C
? 50
? 100
? 200
nA
Gate ? to ? Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = ± 5.0 V
± 100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 4)
Gate Threshold Voltage
Drain ? to ? Source On Resistance
V GS(TH)
R DS(ON)
V GS = V DS , I D = ? 250 m A
V GS = ? 4.5 V, I D = ? 100 mA
? 0.4
2.0
? 1.0
5.0
V
V GS = ? 2.5 V, I D = ? 50 mA
2.6
6.0
V GS = ? 1.8 V, I D = ? 20 mA
V GS = ? 1.5 V, I D = ? 10 mA
V GS = ? 1.2 V, I D = ? 1.0 mA
3.4
4.0
6.0
7.0
10
W
Forward Transconductance
g FS
V DS = ? 5.0 V, I D = ? 125 mA
0.35
S
Source ? Drain Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V, I S = ? 10 mA
? 0.6
? 1.0
V
CHARGES, CAPACITANCES AND GATE RESISTANCE
Input Capacitance
C ISS
13.5
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C OSS
C RSS
f = 1 MHz, V GS = 0 V
V DS = ? 15 V
3.8
2.0
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS, V GS = 4.5 V (Note 4)
Turn ? On Delay Time
t d(ON)
26
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
V GS = ? 4.5 V, V DD = ? 15 V,
I D = ? 200 mA, R G = 2.0 W
46
196
145
ns
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures
ORDERING INFORMATION
Device
NTUD3171PZT5G
Package
SOT ? 963
(Pb ? Free)
Shipping ?
8000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTY100N10G | MOSFET N-CH 100V 123A TO-264 |
| NTZD3152PT5G | MOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-563 |
| NTZD3154NT5G | MOSFET N-CHAN DUAL 20V SOT-563 |
| NTZD3155CT2G | MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT-563 |
| NTZD3156CT5G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTUD3174NZT5G | 功能描述:MOSFET NFET SOT963 20V 280MA TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTV | 制造商:CANDD 制造商全称:C&D Technologies 功能描述:3kVDC Isolated 1W Dual Output SM DC-DC Converters |
| NTV0505M | 功能描述:DC/DC转换器 1W DUAL OUT 5-5V RoHS:否 制造商:Murata 产品: 输出功率: 输入电压范围:3.6 V to 5.5 V 输入电压（标称）: 输出端数量:1 输出电压（通道 1）:3.3 V 输出电流（通道 1）:600 mA 输出电压（通道 2）: 输出电流（通道 2）: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体尺寸: |
| NTV0505MC | 功能描述:DC/DC转换器 5V +/-5Vout +/-100mA 3kVDC Iso 1W SMT RoHS:否 制造商:Murata 产品: 输出功率: 输入电压范围:3.6 V to 5.5 V 输入电压（标称）: 输出端数量:1 输出电压（通道 1）:3.3 V 输出电流（通道 1）:600 mA 输出电压（通道 2）: 输出电流（通道 2）: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体尺寸: |
| NTV0505MC-R | 功能描述:DC/DC转换器 5V +/-5Vout +/-100mA 3kVDC Iso 1W SMT RoHS:否 制造商:Murata 产品: 输出功率: 输入电压范围:3.6 V to 5.5 V 输入电压（标称）: 输出端数量:1 输出电压（通道 1）:3.3 V 输出电流（通道 1）:600 mA 输出电压（通道 2）: 输出电流（通道 2）: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体尺寸: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。