- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录493 > NTZD3152PT5G (ON Semiconductor)MOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-563 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTZD3152PT5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-563 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 04/April/2008 |
| 标准包装： | 8,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 430mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 900 毫欧 @ 430mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 175pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTZD3152P
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted.)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
V (BR)DSS
V (BR)DSS /T J
V GS = 0 V, I D = ? 250 m A
? 20
18
V
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
? 1.0
m A
V DS = ? 16 V
T J = 125 ° C
? 2.0
Gate ? to ? Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = " 4.5 V
" 2.0
m A
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
Gate Threshold Voltage
Negative Threshold
Temperature Coefficient
V GS(TH)
V GS(TH) /T J
V GS = V DS , I D = ? 250 m A
? 0.45
? 1.9
? 1.0
V
mV/ ° C
Drain ? to ? Source On Resistance
R DS(on)
V GS = ? 4.5 V, I D = ? 430 mA
0.5
0.9
W
V GS = ? 2.5 V, I D = ? 300 mA
V GS = ? 1.8 V, I D = ? 150 mA
0.6
1.0
1.2
2.0
Forward Transconductance
g FS
V DS = ? 10 V, I D = ? 430 mA
1.0
S
CHARGES AND CAPACITANCES
Input Capacitance
C ISS
105
175
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C OSS
C RSS
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz,
V DS = ? 16 V
15
10
30
20
Total Gate Charge
Threshold Gate Charge
Gate ? to ? Source Charge
Gate ? to ? Drain Charge
Q G(TOT)
Q G(TH)
Q GS
Q GD
V GS = ? 4.5 V, V DS = ? 10 V,
I D = ? 215 mA
1.7
0.1
0.3
0.4
2.5
nC
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
10
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V GS = ? 4.5 V, V DD = ? 10 V,
I D = ? 215 mA, R G = 10 W
12
35
19
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = ? 350 mA
T J = 25 ° C
? 0.8
? 1.2
V
Reverse Recovery Time
t RR
V GS = 0 V, dI SD /dt = 100 A/ m s,
I S = ? 350 mA
13
ns
2. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
3. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTZD3154NT5G | MOSFET N-CHAN DUAL 20V SOT-563 |
| NTZD3155CT2G | MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT-563 |
| NTZD3156CT5G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 |
| NTZD5110NT5G | MOSFET N-CH DUAL 60V SOT563 |
| NTZS3151PT5G | MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTZD3152PT5H | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET −20 V, −430 mA, Dual P−Channel with ESD Protection, SOT−563 |
| NTZD3154N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V, 540 mA, Dual N−Channel |
| NTZD3154NT1G | 功能描述:MOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTZD3154NT1H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET SOT563 20V 540MA TR - Tape and Reel |
| NTZD3154NT2G | 功能描述:MOSFET NFET 540MA 20V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。