参数资料
| 型号： | NUP8011MUTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC TVS ARRAY LO CAP ESD 8-UDFN |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 工作： | 4.3V |
| 技术： | 混合技术 |
| 功率（瓦特）： | 380mW |
| 电路数： | 1 |
| 应用： | 通用 |
| 封装/外壳： | 8-UFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-UDFN（1.8x1.2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1131 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NUP8011MUTAGOSDKR |
NUP8011MU
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T A = 25 ° C unless otherwise noted)
Symbol Parameter
I PP
Maximum Reverse Peak Pulse Current
V C
Clamping Voltage @ I PP
I F
I
I R V F
V RWM
I R
Working Peak Reverse Voltage
Maximum Reverse Leakage Current @ V RWM
V C V BR V RWM
I T
V
V BR
I T
Breakdown Voltage @ I T
Test Current
I F
V F
P pk
C
Forward Current
Forward Voltage @ I F
Peak Power Dissipation
Capacitance @ V R = 0 and f = 1.0 MHz
I PP
Uni ? Directional
*See Application Note AND8308/D for detailed explanations of
datasheet parameters.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
Breakdown Voltage
V BR @ 1 mA (V)
Leakage Current
I RM @ V RM
Typ Capacitance
@ 0 V Bias (pF)
(Note 2)
Typ Capacitance
@ 3 V Bias (pF)
(Note 2)
V C
Device
NUP8011MUTAG
Device
Marking
P3
Min
6.47
Nom
6.8
Max
7.14
V RWM
4.3
I RWM
( m A)
1.0
Typ
12
Max
14
Typ
6.7
Max
9.5
Per IEC61000 ? 4 ? 2
(Note 3)
Figures 1 and 2
(See Below)
2. Capacitance of one diode at f = 1 MHz, V R = 0 V, T A = 25 ° C
3. For test procedure see Figures 3 and 4 and Application Note AND8307/D.
Figure 1. ESD Clamping Voltage Screenshot
Positive 8 kV Contact per IEC61000 ? 4 ? 2
Figure 2. ESD Clamping Voltage Screenshot
Negative 8 kV Contact per IEC61000 ? 4 ? 2
http://onsemi.com
2
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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