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参数资料
| 型号： | NVMFD5877NLT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 17A 8SOIC |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 39 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 540pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | 8-DFN（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NVMFD5877NL, NVMFD5877NLWF
TYPICAL CHARACTERISTICS
40
36
V GS = 10 V
5V
T J = 25 ° C
30
V DS ≥ 10 V
32
28
24
20
4.5 V
4.0 V
20
16
12
8
3.5 V
10
T J = 25 ° C
4
0
0
1
2
3
4
3.0 V
5
0
1
T J = 125 ° C
2
3
T J = ? 55 ° C
4
5
0.065
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.065
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.060
0.055
0.050
0.045
0.040
0.035
0.030
I D = 10 A
T J = 25 ° C
0.060
0.055
0.050
0.045
0.040
0.035
0.030
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.025
3
4
5
6
7
8
9
10
0.025
5
8
10
13
15
18
20
23
25
2.1
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
1E ? 04
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
I D = 7.5 A
1.9 V GS = 10 V
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
1E ? 05
1E ? 06
1E ? 07
1E ? 08
1E ? 09
1E ? 10
1E ? 11
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.5
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1E ? 12
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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