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参数资料
| 型号： | NVMFS4841NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 89A SO-8FL |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1436pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 3.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NVMFS4841N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
130
120
110
100
90
80
5.5 V to 10 V
T J = 25 ° C
V GS = 5 V
4.5 V
130
120
110
100
90
80
V DS = 10 V
70
60
70
60
50
4V
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
3.8 V
3.6 V
3.4 V
5
40
30
20
10
0
1
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
2 3
T J = ? 55 ° C
4
5
6
7
8
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.018
0.017
0.016
0.015
0.014
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.017
0.014
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.013
0.012
0.011
0.011
0.010
0.009
0.008
0.007
0.008
0.005
V GS = 10 V
0.006
0.005
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0.002
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
I D = 30 A
V GS = 10 V
10000
1000
100
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1.3
1.2
1.1
1.0
10
0.9
0.8
1
T J = 25 ° C
0.7
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NVMFS5826NLT3G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 60V 26A 24MOHM RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性: 汲极/源极击穿电压: 闸/源击穿电压: 漏极连续电流: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 配置: 最大工作温度: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装: |
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