参数资料
型号: NVMFS4841NT1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 89A SO-8FL
标准包装: 1,500
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 16A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1436pF @ 12V
功率 - 最大: 3.7W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TDFN 裸露焊盘(5 引线)
供应商设备封装: 6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6)
包装: 带卷 (TR)
NVMFS4841N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
100
Duty Cycle = 0.5
10
0.2
0.1
0.05
1 0.02
0.01
0.1
SINGLE PULSE
0.01
0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, PULSE TIME (s)
Figure 13. FET Thermal Response
DEVICE ORDERING INFORMATION
Device
NVMFS4841NT1G
NVMFS4841NWFT1G
NVMFS4841NT3G
NVMFS4841NWFT3G
Marking
V4841
4841WF
V4841
4841WF
Package
DFN5
(Pb ? Free)
DFN5
(Pb ? Free)
DFN5
(Pb ? Free)
DFN5
(Pb ? Free)
Shipping ?
1500 / Tape & Reel
1500 / Tape & Reel
5000 / Tape & Reel
5000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
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