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参数资料
| 型号： | NVTFS5116PLTWG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 52 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1258pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NVTFS5116PL
TYPICAL CHARACTERISTICS
50
40
T J = 25 ° C
V GS = ? 7 V
V DS ≥ ? 10 V
40
? 10 V
? 5.0 V
? 4.6 V
30
30
? 4.3 V
? 4 V
20
20
10
? 3.7 V
? 3.4 V
10
T J = 25 ° C
0
0
1 2 3 4
? 3.1 V
? 2.8 V
5
0
2
T J = 125 ° C
T J = ? 55 ° C
3 4 5
6
0.075
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.080
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.065
I D = ? 7 A
T J = 25 ° C
0.070
0.060
V GS = ? 4.5 V
0.055
0.050
0.045
0.040
V GS = ? 10 V
0.035
3
4
5
6
7
8
9
10
0.030
5
10
15
20
25
30
35
40
2.2
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
100000
? I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
I D = ? 7 A
V GS = ? 10 V
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.0
0.8
0.6
1000
T J = 125 ° C
0.4
50
25
0 25 50 75 100 125
150
175
100
10
20 30 40 50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NVTFS5124PLTWG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PFET U8FL 60V 8A 260MOHM - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET PFET U8FL 60V 8A 260MOHM 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / PFET U8FL 60V 8A 260MOHM |
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