参数资料
型号: NVTFS5116PLTWG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN
标准包装: 5,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 52 毫欧 @ 7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1258pF @ 25V
功率 - 最大: 3.2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-WDFN(3.3x3.3)
包装: 带卷 (TR)
NVTFS5116PL
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
Duty Cycle = 0.5
10
1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
Single Pulse
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
100
PULSE TIME (sec)
Figure 13. Thermal Response
DEVICE ORDERING INFORMATION
Device
NVTFS5116PLTAG
NVTFS5116PLWFTAG
NVTFS5116PLTWG
NVTFS5116PLWFTWG
Marking
5116
16LW
5116
16LW
Package
WDFN8
(Pb ? Free)
WDFN8
(Pb ? Free)
WDFN8
(Pb ? Free)
WDFN8
(Pb ? Free)
Shipping ?
1500 / Tape & Reel
1500 / Tape & Reel
5000 / Tape & Reel
5000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
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