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参数资料
| 型号： | NVTFS5820NLTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.5 毫欧 @ 8.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1462pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NVTFS5820NL
TYPICAL CHARACTERISTICS
80
70
10 V
V GS = 5 V
4.0 V
T J = 25 ° C
80
70
V DS ≥ 10 V
60
50
40
30
3.8 V
3.6 V
3.4 V
60
50
40
30
20
3.2 V
20
T J = 25 ° C
10
0
0
1
2
3
3.0 V
2.8 V
4
5
10
0
1
T J = 125 ° C
2
3
T J = ? 55 ° C
4
5
0.030
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.016
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.025
I D = 10 A
T J = 25 ° C
0.014
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.020
0.012
0.015
0.010
0.010
V GS = 10 V
0.005
2
4
6
8
10
12
0.008
5
10
15
20
25
30
35
40
2.3
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
100,000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2.1
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
V GS = 10 V
I D = 10 A
10,000
1,000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.5
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NVTFS5826NLTAG | MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN |
| NX201103 | SYNJET ZFLOW 87 LEVEL SELECT 12V |
| NX300106 | HEATSINK 43W TWIST GE INFUSION |
| NX300119 | HEATSINK 70W SPOT CONFIG |
| NX300131 | HEATSINK 58W TWIST MODULE COOLER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NVTFS5820NLTWG | 功能描述:MOSFET Single N-Channel 60V,29A,11.5mohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NVTFS5826NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:150 mA, Ultra Low Supply Current, Low Dropout Regulator |
| NVTFS5826NLTAG | 功能描述:MOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NVTFS5826NLTWG | 功能描述:MOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NVTFS5826NLWFTAG | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:60 V, 24 m, 20 A, Single Na??Channel |
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