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参数资料
| 型号： | NX3008PBK |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 30 V, 230 mA P-channel Trench MOSFET |
| 中文描述： | SMALL SIGNAL, FET |
| 封装： | PLASTIC, TO-236AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 9/16页 |
| 文件大小： | 873K |
| 代理商： | NX3008PBK |
NX3008PBK
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 1 August 2011
9 of 16
NXP Semiconductors
NX3008PBK
30 V, 230 mA P-channel Trench MOSFET
I
D
= -200 mA; V
DS
= -15 V; T
amb
= 25 °C
Fig 14. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values
Fig 15. Gate charge waveform definitions
V
GS
= 0 V
(1) T
j
= 150 °C
(2) T
j
= 25 °C
Fig 16. Source current as a function of source-drain voltage; typical values
001aao264
-2
-3
-1
-4
-5
V
GS
(V)
0
Q
G
(nC)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.7
0.5
0.3
0.1
003aaa508
V
GS
V
GS(th)
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
V
DS
Q
G(tot)
I
D
Q
GS
V
GS(pl)
001aao265
V
SD
(V)
0.0
-1.2
-0.8
-0.4
-0.10
-0.15
-0.05
-0.20
-0.25
I
S
(A)
0.00
(1)
(2)
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PDF描述 |
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