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参数资料
| 型号： | OP522 |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANSISTOR NPN CLEAR 1206 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 20mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 935nm |
| 功率 - 最大： | 75mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | 1206（3216 公制） |
| 其它名称： | 365-1157-6 |
Silicon Phototransistor in
Miniature SMT Package
OP522
?
?
?
High Photo Sensitivity
Fast Response Time
1206 Package Size with Internal Lens
The OP522 is an NPN silicon phototransistor mounted in a miniature SMT package. The device incorporates an
integral molded lens which enables a narrow acceptance angle and higher collector currents than devices without
lenses. This device is packaged in a 1206 size chip carrier that is compatible with most automated mounting
equipment. The OP522 is mechanically and spectrally matched to the OP250 series infrared LEDs.
Applications
?
?
?
?
Non-Contact Position Sensing
Datum detection
Machine automation
Optical encoders
Relative Response vs. Wavelength
100%
80%
60%
40%
20%
0%
OP522
400
500
600
700
800
900
1000 1100
Wavelength (nm)
RoHS
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
OPTEK Technology Inc.— 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (800) 341-4747 FAX: (972) 323– 2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
Issue A 12/2010
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP525DA | PHOTODARLINGTON NPN CLR 1210 SMD |
| OP535C | PHOTODARLINGTON SILICON NPN T-1 |
| OP538FC | PHOTODARL SILCN NPN FLAT SD LOOK |
| OP550D | PHOTOTRANS SILICON NPN SIDE LOOK |
| OP555D | PHOTOTRNS NPN PLASTIC SIDE LOOK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP522 | 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述:Transistor |
| OP524,005 | 功能描述:MOSFET OP524/UNCASED/FOIL// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| OP525 | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP525DA | 功能描述:光电晶体管 Photo Darlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP525F | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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