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参数资料
| 型号： | OP522 |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANSISTOR NPN CLEAR 1206 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 20mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 935nm |
| 功率 - 最大： | 75mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | 1206（3216 公制） |
| 其它名称： | 365-1157-6 |
SMT Silicon Phototransistor
OP522
1
RECOMMENDED SOLDER PADS
[4.60±0.10]
.181±.0039
2
[1.50±0.10]
.059±.0039
[1.60±0.10]
.063±.0039
PIN
FUNCTION
[1.60±0.10]
.063±.0039
1
2
Collector
Emitter
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Issue A 12/2010
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OPTEK Technology Inc.— 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (800) 341-4747 FAX: (972) 323– 2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP525DA | PHOTODARLINGTON NPN CLR 1210 SMD |
| OP535C | PHOTODARLINGTON SILICON NPN T-1 |
| OP538FC | PHOTODARL SILCN NPN FLAT SD LOOK |
| OP550D | PHOTOTRANS SILICON NPN SIDE LOOK |
| OP555D | PHOTOTRNS NPN PLASTIC SIDE LOOK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP522 | 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述:Transistor |
| OP524,005 | 功能描述:MOSFET OP524/UNCASED/FOIL// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| OP525 | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP525DA | 功能描述:光电晶体管 Photo Darlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP525F | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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