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参数资料
| 型号： | OR2T26A-6S352 |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分类： | FPGA |
| 英文描述： | Field-Programmable Gate Arrays |
| 中文描述： | 现场可编程门阵列 |
| 文件页数： | 53/192页 |
| 文件大小： | 3148K |
| 代理商： | OR2T26A-6S352 |
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Data Sheet
ORCA Series 2 FPGAs
June 1999
146
Lucent Technologies Inc.
1. Readback of the configuration bit stream when simultaneously writing to a PFU in either SSPM fast mode or SDPM fast mode is not allowed.
2. Because the setup time of data into the latches/FFs is less than 0 ns, data written into the RAM can be loaded into a latch/FF in the same
PFU on the next opposite clock edge (one-half clock period).
Note: Speed grades of -5, -6, and -7 are for OR2TxxA devices only.
5-4621(F).a
Figure 60. Synchronous Memory Write Characteristics
Write Operation Setup Time:
Address to Clock (A[3:0]/B[3:0] to CK)
Data to Clock (WD[3:0] to CK)
Write Enable (WREN) to Clock
(A4 to CK)
Write-port Enable (WPE) to Clock
(C0 to CK)
MEMS_ASET
MEMS_DSET
MEMS_WRSET
MEMS_PWRSET
0.0
—
0.0
—
ns
Write Operation Hold Time:
Address to Clock (A[3:0]/B[3:0] to CK)
Data to Clock (WD[3:0] to CK)
Write Enable (WREN) to Clock
(A4 to CK)
Write-port Enable (WPE) to Clock
(C0 to CK)
MEMS_AHLD
MEMS_DHLD
MEMS_WRHLD
MEMS_PWRHLD
1.0
0.7
—
0.8
0.6
—
ns
Table 39.B OR2TxxB Synchronous Memory Write Characteristics (SSPM and SDPM Modes) (continued)
OR2TxxB Commercial: VDD = 3.0 V to 3.6 V, 0 °C
≤ TA ≤ 70 °C; OR2TxxB Industrial: VDD = 3.0 V to 3.6 V, –40 °C ≤ TA ≤ +85°C.
Parameter
Symbol
Speed
Unit
-7
-8
Min
Max
Min
Max
CK
F[3:0]
A[3:0], B[3:0]
WD[3:0]
MEMS_ASET
A4 (WREN)
MEMS_AHLD
MEMS_DSET
MEMS_DHLD
MEMS_WRSET
MEMS_WRHLD
MEMS_PWRSET
MEMS_PWRHLD
C0 (WPE)
TFSCH/TSCH
TFSCL/TSCL
FMEMS_DEL/MEMS_DEL
Timing Characteristics (continued)
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PDF描述 |
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| OR2T26A7PS208-DB | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 2304 LUT 326 I/O RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
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| OR2T26A7S208-DB | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 Use LatticeEC RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
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