PSMN1R0-40YSHX

配单专家企业名单

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说明
操作

PSMN1R0-40YSHX
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30
69880
NEXPERIA/安世
SOT1023
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

PSMN1R0-40YSHX
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
3484
Nexperia
SOT-669
23+
-
原厂原装正品现货

PSMN1R0-40YSHX
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Nexperia(安世)
SOT1023
刚到货
-
代理可含税开票

PSMN1R0-40YSHX
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
9000
VISHAY
SOP
20+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

PSMN1R0-40YSHX
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3557
Nexperia
SOT-669
2201+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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PSMN1R0-40YSHX 技术参数

PSMN1R0-40YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:127nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:8845pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:198W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.1 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN1R0-30YLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:121.35nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:8598pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:238W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.02 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN1R0-30YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:103.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6645pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:272W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.15 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN1R0-25YLDX 功能描述:PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:71.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5308pF @ 12V FET 功能:肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）:160W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:0.89 毫欧 @ 25A， 10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:LFPAK56，Power-SO8 封装/外壳:SC-100，SOT-669 标准包装:1 PSMN130-200D,118 功能描述:MOSFET N-CH 200V 20A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:65nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2470pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:130 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 PSMN1R3-30YL,115 PSMN1R4-30YLDX PSMN1R4-40YLDX PSMN1R5-25YL,115 PSMN1R5-30BLEJ PSMN1R5-30YL,115 PSMN1R5-30YLC,115 PSMN1R5-40ES,127 PSMN1R5-40PS,127 PSMN1R6-30BL,118 PSMN1R6-30PL,127 PSMN1R6-40YLC,115 PSMN1R6-40YLC:115 PSMN1R6-60CLJ PSMN1R7-25YLC,115 PSMN1R7-25YLDX PSMN1R7-30YL,115 PSMN1R7-60BS,118