参数资料
型号: P6SMB75A-E3
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述: 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封装: PLASTIC, SMB, 2 PIN
文件页数: 4/5页
文件大小: 97K
代理商: P6SMB75A-E3
P6SMB Series
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
For technical questions within your region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
Document Number: 88370
Revision: 21-Oct-08
4
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Figure 5. Typical Transient Thermal Impedance
0.1
1.0
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
tp - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
Figure 6. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
10
200
100
1
100
10
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Uni-Directional Only
Number of Cycles at 60 Hz
Pe
a
k
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
Mounting Pad Layout
0.085 (2.159)
MAX.
0.086 (2.18)
MIN.
0.060 (1.52)
MIN.
0.220 REF.
DO-214AA (SMB)
Cathode Band
0.155 (3.94)
0.130 (3.30)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.008 (0.2)
0 (0)
0.220 (5.59)
0.205 (5.21)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.096 (2.44)
0.084 (2.13)
0.180 (4.57)
0.160 (4.06)
0.086 (2.20)
0.077 (1.95)
相关PDF资料
PDF描述
P6SMBJ10TRF 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
P6SMBJ130CTRF 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
P6SMBJ15CATRF 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
P6SMBJ170CTRF 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
P6SMBJ110C 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
相关代理商/技术参数
参数描述
P6SMB75A-E3/51 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
P6SMB75A-E3/52 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
P6SMB75A-E3/55 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
P6SMB75A-E3/5B 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
P6SMB75AHE3/52 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 75V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C