参数资料
型号: PBSS2540E,115
厂商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 40 V, 500 mA NPN low VCEsat (BISS) transistor; Package: SOT416 (SC-75); Container: Tape reel smd
中文描述: 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: PLASTIC, SMD, SC-75, 3 PIN
文件页数: 11/11页
文件大小: 110K
代理商: PBSS2540E,115
9397 750 15063
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 4 May 2005
9 of 11
Philips Semiconductors
PBSS2540E
40 V, 500 mA NPN low VCEsat (BISS) transistor
11. Revision history
Table 9:
Revision history
Document ID
Release date
Data sheet status
Change notice
Doc. number
Supersedes
PBSS2540E_1
20050504
Product data sheet
-
9397 750 15063
-
相关PDF资料
PDF描述
PBSS2540M,315 40 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor; Package: SOT883 (SC-101); Container: Tape reel smd
PBU602 6 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
PBW.3K.93C.CLCT90Z 9/125 um, SINGLE MODE, SIMPLEX FIBER OPTIC CONNECTOR, SOCKET
PBW.3K.93C.CLCT96Z 9/125 um, SINGLE MODE, SIMPLEX FIBER OPTIC CONNECTOR, SOCKET
PEW.3K.93C.CLCT90Z 9/125 um, SINGLE MODE, SIMPLEX FIBER OPTIC CONNECTOR, SOCKET
相关代理商/技术参数
参数描述
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PBSS2540M,315 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2