参数资料
型号: PCA8581T/6,118
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 10/20页
文件大小: 0K
描述: IC EEPROM 1KBIT 100KHZ 8SOIC
标准包装: 2,500
格式 - 存储器: EEPROMs - 串行
存储器类型: EEPROM
存储容量: 1K (128 x 8)
速度: 100kHz
接口: I²C,2 线串口
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -25°C ~ 85°C
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 935276987118
PCA8581TD-T
PCA8581TD-T-ND

Philips Semiconductors
128 × 8-bit EEPROM with I 2 C-bus interface
Product speci?cation
PCA8581; PCA8581C
10 DC CHARACTERISTICS
V DD = 2.5 to 6.0 V (PCA8581C); V DD = 4.5 to 5.5 V (PCA8581); V SS = 0 V; T amb = ? 25 to +85 ° C; note 1; unless
otherwise speci?ed.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Supply
V DD
supply voltage
PCA8581C
PCA8581
2.5
4.5
?
?
6.0
5.5
V
V
I DD
supply current
standby mode
during read cycle
during write cycle
f SCL = 0 Hz; V IL = 0 V; V IH = V DD
f SCL = 100 Hz; V IL = 0 V; V IH = V DD
V IL = 0 V; V IH = V DD
?
?
?
?
?
?
10
400
1000
μ A
μ A
μ A
Inputs A0, A1, A2, SDA and SCL
V IL
V IH
LOW level input voltage
HIGH level input voltage
?
0.7V DD
?
?
0.3V DD
?
V
V
I LI
C i
input leakage current
input capacitance
V I = V DD or V SS
V I = V SS
?
?
?
?
1
7
μ A
pF
Output SDA
I OL
LOW level output current V OL = 0.4 V
3
?
?
mA
Erase/write data
t WR
t RET
write time
data retention time
?
10
7
?
10
?
ms
years
Note
1. The PCA8581C is guaranteed to be programmed with all locations ‘FF’ (hexadecimal) provided the device has been
stored within the temperature limits ? 65 to +85 ° C.
1997 Apr 02
10
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