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参数资料
| 型号： | PESD36VS2UT,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE DBL ESD PROTECTION SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 36V |
| 电压 - 击穿： | 40V |
| 功率（瓦特）： | 160W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-6840-6 |
PESD36VS2UT
Low capacitance unidirectional double ESD protection diode
Rev. 01 — 16 July 2009
Product data sheet
1. Product pro?le
1.1 General description
Low capacitance unidirectional double ElectroStatic Discharge (ESD) protection diode in
a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package designed to
protect up to two signal lines from the damage caused by ESD and other transients.
1.2 Features
I Unidirectional ESD protection of
two lines
I Low diode capacitance: C d = 17 pF
I Max. peak pulse power: P PP = 160 W
I Low clamping voltage: V CL = 55 V
I Ultra low leakage current: I RM ≤ 1 μ A
1.3 Applications
I ESD protection up to 30 kV
I IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
I IEC 61000-4-5 (surge); I PP = 2.5 A
I AEC-Q101 quali?ed
I
I
I
I
Computers and peripherals
Audio and video equipment
Cellular handsets and accessories
Subscriber Identity Module (SIM) card
I Portable electronics
I Communication systems
I 10/100 Mbit/s Ethernet
protection
1.4 Quick reference data
Table 1. Quick reference data
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff voltage
-
-
36
V
C d
diode capacitance
f = 1 MHz; V R = 0 V
-
17
35
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| PESD3V3L1BA,115-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:PESDxL1BA Series 26 V 101 pF Low Capacitance ESD Protection Diode - SOD-323 |
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