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参数资料
| 型号： | PESD36VS2UT,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE DBL ESD PROTECTION SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 36V |
| 电压 - 击穿： | 40V |
| 功率（瓦特）： | 160W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-6840-6 |
NXP Semiconductors
PESD36VS2UT
Low capacitance unidirectional double ESD protection diode
2. Pinning information
Table 2.
Pinning
Pin
1
2
3
Description
cathode (diode 1)
cathode (diode 2)
common anode
Simpli?ed outline
3
1
2
Graphic symbol
3
1
2
006aaa154
3. Ordering information
Table 3.
Ordering information
Type number
Package
Name
Description
Version
PESD36VS2UT
-
plastic surface-mounted package; 3 leads
SOT23
4. Marking
Table 4.
Marking codes
Type number
PESD36VS2UT
Marking code [1]
LF*
[1]
* = -: made in Hong Kong
* = p: made in Hong Kong
* = t: made in Malaysia
* = W: made in China
5. Limiting values
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
P PP
I PP
peak pulse power
peak pulse current
t p = 8/20 μ s
t p = 8/20 μ s
[1][2]
[1][2]
-
-
160
2.5
W
A
Per device
T j
T amb
T stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
? 55
? 65
150
+150
+150
° C
° C
° C
PESD36VS2UT_1
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1 or 2 to pin 3.
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 16 July 2009
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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